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半导体器件物理与工艺测量实验

半导体器件物理与工艺测量实验

  • 产品最后更新于:2014-09-27 16:48      浏览:
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          【 RLE-SA06 】 产 品 说 明 RLE-SA06 半导体器件物理与工艺测量实验 实验简介: 半导体发光器件参数测量实验是以《半导体器件物...

产品介绍
RLE-SA06
   
 
   产 品 说 明
RLE-SA06 半导体器件物理与工艺测量实验
 
实验简介:
   半导体发光器件参数测量实验是以《半导体器件物理》为指导教材,针对理工科电子科学与技术专业、光电子专业、微电子专业的教学计划,开发的一套专业教学系统。半导体发光器件参数测量实验的教学目的是使学生掌握半导体器件的基本结构、物理原理和特性,熟悉半导体器件的工艺和参数测试,为进一步学习相关的专业课程打下坚实基础。同时,RealLight™的半导体器件参数测量实验仪也可为广大科研用户提供半导体参数测试平台。
 
实验内容:
1、半导体封装器件结构观测;
2、半导体发光器件P-I-V特性曲线测试;
3、半导体发光器件内参数及效率测试;
4、PN结I-V曲线的温度特性测试;
5、半导体发光器件的光谱测试;
6、半导体发光器件耦合封装测试;
7、COS器件远场光斑测试。
 
主要设备参数:
1. 半导体发光器组件:
光纤耦合半导体激光器:中心波长658nm,单模光纤输出,芯径5um,输出功率大于5mW;
光纤耦合半导体激光器:中心波长808nm,TO封装,输出功率大于100mW;
LED光源一批:波长400nm~700nm,输出功率大于100mW。
2. 半导体发光器件测试箱:
驱动电源控制范围:
电流驱动范围:0~15A;电压驱动范围:0~5V;
功率测量范围:0~20W;
背光电流测量范围:0~1000A。
可进行PIV测试,绘制PIV曲线,检测激光器输出功率Po、阈值电流Ith、工作电流Io、工作电压Vo、背光电流PD、串联电阻Rt、斜率效率Es、光电效率Ep、激光功率的线性度PL、背光电流的线性度PDL、可直接输出软件数据。
3. 半导体发光器件测试平台:
可测量半导体激光器,发光二极管等器件;可测量温度控制器电压Vtec、温度控制器电流Itec、激光器管芯温度Tc。外置TEC制冷器,可实现卧式或单管转接测量。可搭建光谱测试组件和光束质量分析测试组件。
4. 探测器组件:
硅光二极管电流计数器,量程可变,修正光谱响应曲线,波长可选择。
5. 光谱测试组件:
光纤光谱仪:分辨率:[email protected]~850nm;灵敏度:40photons/[email protected]
探测器:CCD线阵2048个像素;信噪比:200:1;动态范围:2000:1;
A/D转换卡:16位,2MHz;积分时间:1.1ms~10min;接口:USB2.0,480Mbps;
采样速率:1.1ms/scan;数据传输速率:1.8ms/scan;
外型尺寸:175mm×110mm×44mm;重量:720g;
软件可测试半导体发光器件的中心波长和谱线宽度。
6. 远场光斑测试组件:
数字CMOS相机,130万像素,像素大小5.2μm×5.2μm,USB2.0,A/D:10bit;
软件可测量可测量远场光斑的能量分布、二维伪彩色显示、可计算光斑直径、质心位置、光斑圆度、所采集图像的强度最大值、采集平面上的光斑长轴尺寸、采集平面上的光斑短轴尺寸,包含自动增益控制功能。
7. 讲义及快速安装指南。
选配设备参数:
数字示波器:带宽100MHz,采样频率1GHz。

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